特許
J-GLOBAL ID：200903030711189841
シリコンと炭素を含有する薄膜の形成方法及び該薄膜を有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267055
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127873
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 電気伝導度の光応答性が極めて良好であると共にワイドバンドギャップで良好な電気特性を持ったシリコンと炭素を含有する薄膜の形成方法及び該薄膜を有する半導体装置。【構成】 シリコン原料と分子量の異なる複数の炭化水素を反応容器内に導入して、前記分子量の異なる複数の炭化水素の混合比を変化させてプラズマ分解反応させ、前記複数の炭化水素は分子量の大きい炭化水素と分子量の小さい炭化水素を含み、該分子量の大きい炭化水素の混合比が大きい時は、前記分子量の小さい炭化水素の混合比が大きい時に較べて反応圧力を低くすることによりアモルファスシリコンカーバイト膜などのシリコンと炭素を含有する薄膜を形成する方法及び該薄膜を有する半導体装置。
請求項（抜粋）：
シリコン原料と分子量の異なる複数の炭化水素を反応容器内に導入して、前記分子量の異なる複数の炭化水素の混合比を変化させてプラズマ分解反応させ、前記反応容器内に配置された基体上にシリコンと炭素を含有する薄膜を形成する方法において、前記複数の炭化水素のうち分子量の大きい炭化水素の混合比が大きい時は、分子量の小さい炭化水素の混合比が大きい時に較べて反応圧力を低くすることを特徴とするシリコンと炭素を含有する薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/32
, C01B 31/02 101
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 31/107
