特許

J-GLOBAL ID：200903030716439897

拡散ウェーハの製造方法

発明者： 真島 正樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017424
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 シリコン単結晶ウェーハにボロンをイオン注入・拡散して製造される拡散ウェーハの製造方法において、抵抗値が、ばらつきの小さい安定した測定結果となる拡散ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から40時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から40時間以上経過後に前記ドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する工程を含むことを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602

FI (4件)：

H01L 21/22 E ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 T