特許

J-GLOBAL ID：200903030720904146

半導体装置の製造方法

発明者： 岩佐 昇一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144768
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】パターンに依存せずコンタクト孔にWを良好に埋め込むことができ、コンタクト孔部に埋込みWと配線Alの良好な積層配線層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】まず、コンタクト孔を含む基板全面にWを堆積させてコンタクト孔を完全に埋め込む。ついで、W膜をエッチバックしてコンタクト孔以外の領域にW層を残した後、全面にAlを堆積させる。ついで、Al層を所望の配線パターンにエッチングし、このパターニングされた配線Al層をマスクとしてW層を自己整合的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

コンタクト孔を含む基板全面に第1金属を堆積させて前記コンタクト孔を完全に埋め込む工程と、エッチバックによって前記コンタクト孔以外の基板表面上に第1金属層を残す工程と、基板全面に第2金属層を形成する工程と、前記第2金属層および前記第1金属層をエッチングして配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 R