特許

J-GLOBAL ID：200903030723260150

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 東 正己 ,  夏見 昌之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219021
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062978
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】予期せぬ書き込み動作などによって誤った書き込みモードに進んだ場合に、外部回路等による制御を行うことなく、正常な状態に復帰させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】データが書き込まれるアドレスが、書き込み・消去禁止状態であるアドレス領域に含まれるか否かを、書き込みモードキャンセル回路11がアドレスおよび書き込み許可ビット10によって判定し、書き込み・消去禁止状態のアドレス領域に対する書き込みである場合には、書き込みコマンドをキャンセルする。FLASHコマンド制御回路8は、書き込みコマンドキャンセル信号が入力されると、読み出しモードを維持し、書き込みモードに遷移しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的にデータの書き換えおよび消去が可能なメモリ部と、該メモリ部内の所定の各アドレス領域について、それぞれ、当該アドレス領域内のデータ書き込みおよび消去を禁止するための書き込み・消去禁止状態設定手段と、 入力アドレスが書き込み・消去禁止状態に設定されているアドレス領域に含まれるか否かを判定し、入力アドレスが書き込み・消去禁止状態に設定されているアドレス領域に含まれる場合には、書き込みコマンドをキャンセルする書き込みモードキャンセル手段と、 1回のバスサイクルで外部から入力されるデータおよびアドレスの少なくとも一方が特定の値である場合、または2回以上のバスサイクルで外部から入力されるデータおよびアドレスの少なくとも一方の組み合わせが特定の値の組み合せである場合に、書き込み可能状態であるアドレスに対しては読み出しモードから書き込みモードに遷移すると共に、書き込み・消去禁止状態に設定されているアドレスに対しては該書き込みモードキャンセル手段による書き込みモードキャンセルに従って読み出しモードを維持するコマンド制御手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C16/02

FI (2件)：

G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 601P

Fターム (4件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08