特許
J-GLOBAL ID：200903030723692751
半導体光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-006079
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 消光比の大きな積層方向性結合器型の半導体光変調器の提供。【構成】 第1実施例の積層方向性結合器型の半導体光変調器は、クラッド層を介して積層された、第1および第2導波層を具えている。そして、変調された信号光が出射される第1導波層10の出力端10aに可飽和吸収体30を具えている。この可飽和吸収体30は、バンドギャップ波長1.5μmのInGaAsPからなり、導波層の長さ方向に沿って約50μmの長さにわたって設けてある。
請求項（抜粋）：
クラッド層を介して積層された第1および第2導波層を具え、該第1および第2導波層に逆バイアス電圧を印加するための制御電極を具えてなる、積層方向性結合器型の半導体光変調器において、変調された信号光が出射される、第1または第2導波層の出射端に結合された可飽和吸収体を具え、該可飽和吸収体に逆バイアス電圧を印加するための吸収体制御電極を具えてなることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, G02B 6/12
, G02F 1/025
