特許
J-GLOBAL ID：200903030725328763
半導体の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-203628
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029278
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 GaAsのAlGaAsに対する選択エッチング性を保ち、かつ半導体表面及び反応室汚染を低減する。【構成】 Cl2 ,Ar及びNF3 をECR型反応性イオンエッチング装置のガスポート11,12,13からそれぞれプラズマ室1に導入し、プラズマ速度を調整し、NF3 によりAlGaAsのエッチングを抑制して、GaAsをAlGaAsに対し選択エッチングを行うことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
Ar,Cl2 及びNF3 またはSF6またはO2 の混合ガスを電子のサイクロトロン運動により励起することにより得られるプラズマを用い、AlGaAsに対してGaAsを選択的にエッチングすることを特徴とする半導体の加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/18
