特許

J-GLOBAL ID：200903030731093883

半導体装置

発明者： 近藤 市治 ,  則武 千景
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124925
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】フリップチップのバンプ電極部やLSI配線部においてCu膜とバリアメタルとの密着性に優れた半導体装置を提供することにある。【構成】シリコン基板1には機能素子としてのトランジスタが形成され、トランジスタと外部基板11とのコンタクトをとるためのバンプ電極8が設けられている。シリコン基板1の表面には金属膜3が形成され、金属膜3の上に絶縁膜4が形成され、コンタクトホール4aにより金属膜3の一部が露出している。コンタクトホール4a内での金属膜3の上にはバリアメタル5が形成され、バリアメタル5上にはチタンよりなる接着層6が形成され、その上にバンプ成長用Cu膜7が形成されている。バンプ成長用Cu膜7の上にCuよりなるバンプ電極8が形成されている。

請求項（抜粋）：

電極材料または配線材料であるCu膜と、バリアメタルとの間に、チタンよりなる接着層を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 B