特許
J-GLOBAL ID：200903030732172825
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010125
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】 コリメータ・スパッタリングにおいて、高融点金属粒子によるコリメータの目詰まりを防止し、バリヤメタル成膜の再現性を高める。【構成】 平行平板型スパッタリング装置のコリメータC1 にRF電源13を接続し、ターゲット5とDC電源10との間にスイッチ11を設ける。Ti層の成膜後にコリメータC1 に付着したTi粒子を除去するには、ターゲット5のDCバイアスを無印加としてコリメータC1 にRFバイアスを印加し、コリメータC1 をカソードとして生成するプラズマを用いてTi粒子をスパッタリング除去もしくはエッチング除去する。ウェハ3に対するTi粒子の入射角が常に一定範囲内に維持され、再現性良くTi層が形成できる。
請求項（抜粋）：
物理的気相成長装置のチャンバ内でコリメータを通過して飛来する材料粒子を基板上に堆積させることにより薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記材料粒子の堆積による前記コリメータの開口断面積の縮小を前記チャンバ内で抑制することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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