集積トランジスタ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：橋爪健
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-520272
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507081
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

自己整合エンハンスメントモード金属-酸化物-化合物半導体電界効果型トランジスタ10は、Ga2O,Ga2O3,および他の酸化ガリウム(ガリウム酸化物(膜))化合物の混合物である下部酸化膜層30、III-V族化合物半導体ウェハ構造13の上部面14上に配置したガリウム酸素層の真上に配置される第二絶縁層を含む。下部酸化ガリウム(ガリウム酸化物(膜))化合物層と第二絶縁層は全体的に酸化ガリウム(ガリウム酸化物(膜))ゲート絶縁構造を形成する。酸化ガリウム(ガリウム酸化物(膜))ゲート絶縁構造と下地化合物半導体ガリウム砒素層15は化合物半導体ウェハ構造14との面である原子的アブラプト界面で会合する。初期の基本的なガリウム酸素層は第二絶縁酸化膜層から下地化合物半導体面を不動態化したり保護するのに役立つ。リフラクトリメタルゲート電極層17は第二絶縁酸化膜層の上部面18上に配置される。リフラクトリメタルは高温で第二絶縁酸化膜層上で安定である。自己整合ソースおよびドレイン領域、ソースおよびドレイン接点19、20は素子のソースおよびドレイン領域21、22上に配置される。その後に複数の素子を近接し、適切な配線金属層と絶縁膜を他の受動回路素子と合わせて利用し集積回路構造を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エンハンスメントモード金属-酸化物-化合物半導体電界効果型トランジスタであって、上部面を有する化合物半導体ウェハ構造と; 前記化合物半導体ウェハ構造の上部面に配置した、Ga2O3,Ga2Oおよび他のガリウム酸素化合物(gallium oxygen compounds)の混合物を含むが、これに限らないものを含むガリウムと酸素の化合物を含む層と; 初期支持(initial supporting)ガリウム酸素層の上部に堆積した絶縁層を形成する、ガリウムと酸素と少なくとも一つ以上の希土類元素の化合物を含む第二絶縁層で、前記第一および第二層は、化合物半導体構造に隣接して、且つ、この上部にゲート絶縁体構造を形成し; 前記ゲート絶縁体構造層の上部面に配置した安定なリフラクトリメタル(refractory metal、高融点金属、耐熱性金属、超硬合金)ゲート電極と; ゲート電極に対し自己整合した(self-aligned)ソースおよびドレインイオンインプラントと;およびイオン注入ソースおよびドレイン領域上に配置したソースおよびドレインオーミックコンタクトと; 前記リフラクトリメタルゲート電極は、W,WN又はWSi又はその組合せから成るグループから選択したリフラクトリメタルを含み; モノリシック構造(monolithically)集積回路を形成する前記トランジスタの配線手段と、を備えた前記エンハンスメントモード金属-酸化物-化合物半導体電界効果型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L21/316 M , H01L29/78 301G , H01L27/08 102C , H01L27/08 321D

Fターム (39件)：

5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA15 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BG11 , 5F048DA23 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF17 , 5F058BJ04 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG38 , 5F140BH21 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CE10

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