特許

J-GLOBAL ID：200903030733370450

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283329
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 記憶ノードではない拡散層を低抵抗にし、記憶ノードである拡散層で接合リークを生じない様にして、動作が高速でデータ保持特性の劣化もない様にする。【構成】 メモリセルの拡散層36b、37a、37c等のうちで、記憶ノードである拡散層36b等以外の拡散層37a、37c等のみに、シリサイド層35が設けられている。このため、記憶ノードではない拡散層37a、37c等が低抵抗であるにも拘らず、記憶ノードである拡散層36b等でシリサイド層35を形成する際の不均一性に起因する接合リークが生じない。

請求項（抜粋）：

メモリセルの拡散層のうちで記憶ノードである第1の拡散層以外の第2の拡散層のみにシリサイド層が設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-264257