特許
J-GLOBAL ID：200903030733973023
MIS構造を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050985
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 ソース領域が長方形状であるMIS構造の半導体装置において、ソース領域、ドレイン領域間に電圧を印加する際に、ゲート電極に電圧を印加しない場合(オフ時)の耐圧特性がゲート電極に電圧を印加する場合(オン時)に比べて大きく低下する。【解決手段】 ソース領域6が長方形状であり、コーナー部11a,bは、長方形の短辺の長さを直径とする半円形状とされている。また、8はウェルコンタクト用の高濃度P領域である。高濃度n型領域のドレイン領域7a、7bは、ソース領域6の直線領域10a,10bに対向した位置に配置されている。また、ソース領域6のコーナー部に対向する位置には高濃度のドレイン領域は形成されていない。
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板上に形成された第2導電型のドリフト領域と、該ドリフト領域に形成された第1導電型のウェル領域と、該ウェル領域に形成された第2導電型のソース領域と、該ソース領域と前記ドリフト領域との間の前記ウェル領域上に形成されたゲート電極と、平面的に見て該ゲート電極が前記ソース領域との間に位置するように前記ドリフト領域に形成され、該ドリフト領域よりも高濃度の第2導電型のドレイン領域とを有し、前記ソース領域はその平面パターンが直線状部と所定の曲率を有したコーナー部とからなる長方形状をしており、かつ前記ドレイン領域は平面的に見て前記ソース領域の前記コーナー部に対向した位置にて開放するように前記ソース領域を囲って形成されていることを特徴とするMIS構造を有する半導体装置。
引用特許：
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