特許
J-GLOBAL ID：200903030738010444
MIS型トランジスタ及びその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211902
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】パンチスルー特性とサブスレッショルド特性の両方を向上させることができ、しかも、放熱性に優れ、チャネル内マジョリティーキャリアが蓄積され難いMIS型トランジスタ及びその作製方法を提供する。【構成】半導体基板10の表面に形成されたMIS型トランジスタは、チャネル領域30の下方にのみ絶縁層11又は半絶縁層が形成されている。半導体基板表面にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が形成され、チャネル領域の上にはゲート電極領域が形成されたMIS型トランジスタの作製方法は、チャネル領域形成予定領域の下方にのみSIMOX法によって絶縁層を形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成されたMIS型トランジスタであって、チャネル領域の下方にのみ絶縁層又は半絶縁層が形成されていることを特徴とするMIS型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 A
