特許

J-GLOBAL ID：200903030739183490

エレクトロルミネセンス表示装置用のシリコン・オキシナイトライドで不動態化した希土類で活性化されたチオアルミン酸蛍光体

発明者： コスヤチコブ,アレキサンダー
出願人/特許権者： アイファイア テクノロジー コーポレーション
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-534900
公開番号（公開出願番号）：特表2005-538227
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】【解決手段】 ac厚膜誘電体エレクトロルミネセンス表示装置に使用されるチオアルミン酸ベースの蛍光体の動作安定性を改善する新規な構造を提供する。新規な構造は、アルカリ土類チオアルミン酸蛍光体薄膜層と、蛍光体薄膜層の上および/または下のすぐ隣りに提供された希土類で活性化されたシリコン・オキシナイトライド層とを含み、前記シリコン・オキシナイトライド層は、Si3NxOyHzの組成を含み、2≦x≦4、0<y≦2、および0≦z≦1である。本発明は、特に、蛍光体薄膜を形成し活性化するために高い処理温度を受ける厚膜誘電体層を使用するエレクトロルミネセンス表示装置に使用される蛍光体に適用可能である。

請求項（抜粋）：

厚膜誘電体エレクトロルミネセンス装置用の改善された蛍光体構造であって、 希土類で活性化されたアルカリ土類チオアルミン酸蛍光体薄膜層と、 前記蛍光体薄膜層の上および/または下のすぐ隣りに提供されたシリコン・オキシナイトライド層とを含み、前記シリコン・オキシナイトライド層がSi3NxOyHzの組成を含み、ここで2≦x≦4、0<y≦2、および0≦z≦1である構造。

IPC (7件)：

C09K11/00 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/88 ,  C23C14/06 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

FI (7件)：

C09K11/00 F ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/88 ,  C23C14/06 K ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/22 Z

Fターム (29件)：

3K007AB02 ,  3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007DA02 ,  3K007DA05 ,  3K007DB01 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EA02 ,  3K007EC03 ,  3K007FA01 ,  4H001CA04 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA20 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  4H001XA38 ,  4H001XA49 ,  4H001XA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YA63 ,  4K029BA41 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05

引用特許：

出願人引用 (19件)

• 米国特許第4,188,565号明細書
  
• 米国特許第6,388,378号明細書
  
• 米国特許第6,392,334号明細書
  
• 米国特許出願番号2001/0055458号明細書
  
• 米国特許出願番号2002/0001733号明細書
  
• 米国特許出願番号2002/0005506号明細書
  
• 米国特許出願番号2002/0006051号明細書
  
• 米国特許出願番号2002/0037430号明細書
  
• 米国特許出願番号2002/0084464号明細書
  
• 米国特許出願2002/0031685号明細書
  
• 米国特許出願2002/0094451号明細書
  
• 米国特許第4,721,631号明細書
  
• 米国特許第4,774,435号明細書
  
• 米国特許第4,880,661号明細書
  
• 米国特許第4,897,319号明細書
  
• 米国特許第4,954,747号明細書
  
• 米国特許第5,598,059号明細書
  
• 米国特許第5,644,190号明細書
  
• 米国特許第6,322,860号明細書