特許
J-GLOBAL ID：200903030745580329
半導体装置及び液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-307189
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【構成】 多孔質Si基体上にエピタキシャル成長させた単結晶Si薄膜を、従来よりも厚い膜厚のSiO2 を設けたSi基板に貼り合わせて得られたSi基板に形成した半導体装置。【効果】 PMOS及びNMOSトランジスタ下の絶縁層の膜厚を厚く制御したことにより、リーク電流を防止し、高電圧電源による高速駆動が可能となった。
請求項（抜粋）：
少なくとも単結晶Si領域を有して絶縁層上に形成された薄膜Si層内の該単結晶Si領域に形成されたNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを有する半導体装置であって、該NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの下地絶縁層厚TBOX 、低圧側電源電圧VSS、高圧側電源電圧VDDが、下記数式で示される関係TBOX >(VDD-VSS-K2 )/K1(但し、K1 ≡εBOX (QBN+QBP),K2 ≡2φFN+2φFP-1.03であり、εBOX は上記下地絶縁層の誘電率、QBN及びQBPは上記NMOS及びPMOSの空乏層が最大幅に達した時のバルク電荷、φFN及びφFPは上記NMOS及びPMOSのチャネルの擬フェルミポテンシャルである)を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/208
, H01L 21/76
, H01L 27/092
, H01L 29/784
H01L 27/08 321 M
, H01L 29/78 311 C
