特許

J-GLOBAL ID：200903030749321581

マスクパターン補正方法

発明者： 向井 清士 ,  柴田 英則 ,  辻川 洋行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049072
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のCAD処理時間を短縮し、補正後のデータをEBデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。【解決手段】 近接パターンまでの距離によって密矩形図形群と疎矩形図形群とに分割する図形選択ステップ11と、密矩形図形群と疎矩形図形群の図形数を比較して補正を行う図形群を選択する図形数比較ステップ12と、選択された図形群に適した補正方法を選択する補正方法選択ステップ13と、光近接効果補正を行う図形変形ステップ14と、補正後の図形群と分割された残りの図形群を合成する図形合成ステップ15を含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造工程での露光条件を、レイアウト設計された設計パターンに含まれる全ての矩形図形のうち、他の矩形図形との間隔が前記所定の図形間距離以上である矩形図形からなる疎矩形図形群について所望のパターンを適切に形成することができる所定の露光量に決定する露光量決定ステップと、レイアウト設計された設計パターンに含まれる全ての矩形図形のうち、他の矩形図形との間隔が所定の図形間距離未満である矩形図形からなる密矩形図形群を対象矩形図形群として、前記対象矩形図形群に含まれる近接した二つの対象矩形図形にそれぞれ属する辺どうしの辺間距離が所定の図形間距離未満を満たす二つの近接対向辺について、前記二つの近接対向辺をそれぞれ向かい合った相対する近接対向辺に重なり合うまで平行移動したときに互いに重なり合う部分の線分を各々投影線分として検出する投影線分発生ステップと、前記投影線分の長さが所定の線分長以上の場合に前記投影線分が属する近接対向辺を所定の補正量だけ並行移動させた辺と前記近接対向辺が属する前記対象矩形図形で補正矩形図形を生成する補正図形生成ステップとを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G06F 17/50

FI (4件)：

H01L 21/30 502 W ,  G03F 1/08 A ,  G06F 15/60 658 Z ,  H01L 21/30 516 D

Fターム (11件)：

2H095BB01 ,  2H095BB36 ,  5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5B046DA02 ,  5B046FA02 ,  5B046JA02 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DB01 ,  5F046DB08