特許

J-GLOBAL ID：200903030754863007

半導体被覆用ガラス

発明者： 波多野 和夫 ,  馬屋原 芳夫
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174348
公開番号（公開出願番号）：特開平5-000830
出願日： 1991年06月19日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 引っ張り強度が大きく、モールド型半導体を製造するのに好適な被覆用ガラスを得る。【構成】 重量百分率でZnO 55〜65%、B2 O3 19〜28%、SiO2 7〜15%、PbO 0.1〜15%、MnO2 0〜5%、CeO2 0〜3%、Sb2 O3 0〜3%、Al2 O3 0〜3%の組成を有する結晶性ガラス粉末100重量%に、核形成剤としてZnO、αZnO・B2 O3 、2ZnO・SiO2 から選ばれた1種以上が0.01〜5重量%、フィラーとしてジルコン粉末が3〜20重量%添加されてなる。

請求項（抜粋）：

重量百分率でZnO 55〜65%、B2 O319〜28%、SiO2 7〜15%、PbO 0.1〜15%、MnO2 0〜5%、CeO20〜3%、Sb2 O3 0〜3%、Al2 O3 0〜3%の組成を有するガラス粉末100重量%に、核形成剤としてZnO、αZnO・B2 O3 、2ZnO・SiO2 から選ばれた1種以上が0.01〜5重量%、フィラーとしてジルコン粉末が3〜20重量%添加されてなることを特徴とする半導体被覆用ガラス。

IPC (6件)：

C03C 8/24 ,  C03C 3/072 ,  C03C 3/074 ,  C03C 8/10 ,  C03C 8/20 ,  H01L 21/56

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-296748
  
• 特開昭59-174544
  
• 特開昭58-167445