特許
J-GLOBAL ID：200903030758034951

すず-銀-銅はんだ合金の形成方法並びに当該合金を使用する鉛フリーバンプおよび半導体素子の製造方法

発明者：
黄海 冷

黄海 冷 について

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吉岡 潤一郎

吉岡 潤一郎 について

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栗山 文夫

栗山 文夫 について

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齋藤 信利

齋藤 信利 について

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下山 正

下山 正 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について


代理人 (1件)： 小野 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150620
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342784
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 鉛フリーバンプ等の製造に適用したときに、実用的に満足のゆくSn-Ag-Cu系はんだ合金を形成する手段を提供すること。【解決手段】 配線パッド上に、すず-銀合金めっきを行い、次いですず-銅合金めっきを行った後、得られた多層合金めっき層をリフローさせることを特徴とするすず-銀-銅はんだ合金による鉛フリーバンプの製造方法および半導体素子の半導体基板上に配線パッドを形成する工程と、前記配線パッド上にバリアメタルを形成する工程と、実用的に満足のゆくSn-Ag-Cu系はんだ合金を形成する手段の開発が求められており、このような手段を提供することすず-銀合金めっき、すず-銅合金めっきを順次行い、多層合金めっき層を形成する工程と、前記多層合金めっき層をリフローさせてすず-銀-銅はんだ合金からなる突起電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
すず-銀合金めっきを行い、次いですず-銅合金めっきを行った後、得られた多層合金めっき層をリフローさせることを特徴とするすず-銀-銅はんだ合金の形成方法。
IPC (7件)：
C25D 5/10 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/26 310 ,  B23K 35/40 340 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  C22C 13/00
FI (7件)：
C25D 5/10 ,  B23K 35/14 A ,  B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/40 340 D ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  C22C 13/00
Fターム (13件)：
4K024AA15 ,  4K024AA21 ,  4K024AA24 ,  4K024AB02 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DB02 ,  4K024FA05 ,  4K024GA14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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