特許

J-GLOBAL ID：200903030758804269

摩擦デイスクの製造方法

発明者： 小原 庸博
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 広江 武典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-059350
出願日： 1987年11月06日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】 高強度で耐摩耗性と耐酸化性に優れた摩擦ディスクの製造方法を提供する。【構成】 一酸化珪素ガスを主成分とする雰囲気中1300°C〜2300°Cで熱処理してC/C複合体より成る摩擦ディスクの一部又は全部を炭化珪素に転化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一酸化珪素ガスを主成分とする雰囲気中1300°C〜2300°Cで熱処理してC/C複合体より成る摩擦ディスクの一部又は全部を炭化珪素に転化させることを特徴とする摩擦ディスクの製造方法。

IPC (10件)：

C09K 3/14 ,  B29C 67/14 ,  C01B 31/36 ,  C04B 35/52 ,  C04B 35/56 101 ,  C04B 41/87 ,  C08J 5/04 ,  C08J 5/14 ,  F16D 69/00 ,  F16D 69/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-085462
  
• 特開昭61-146775
  
• 特開昭57-003780
  
• 特開昭51-070191