特許

J-GLOBAL ID：200903030759992964

ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置

発明者： 山下 純一 ,  林 健郎 ,  川副 公之 ,  南 秀旻
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-089978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270392
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 研磨工程から、ウェハ表面の変質を防止でき且つ仕上げ研磨の雰囲気が流れ込むことなく効率的に研磨洗浄へ移行することが可能なウェハの表面洗浄方法および総合研磨洗浄装置を得る。【解決手段】 半導体ウェハ基板を、研磨工程と水研磨洗浄工程との間で搬送する搬送工程を有し、この搬送工程は、搬送方向に逆らう水流中を搬送するものとする。

請求項（抜粋）：

ウエハ基板の表面の異物等の除去や微細粗さ向上等を目的とする半導体ウエハの表面洗浄方法であって、前記ウエハ基板の表面に対し、研磨材を含んだ研磨水を供給しながら研磨する研磨工程と、この研磨工程とは別の異なる研磨手段により、研磨後のウエハ基板の表面に対し、研磨材を含まない洗浄水のみを供給して研磨する水研磨洗浄工程と、前記ウエハ基板を、前記研磨工程と前記水研磨洗浄工程との間で搬送する搬送工程と、を有し、前記搬送工程は、搬送方向に逆らう水流中を搬送することを特徴とするウエハの表面洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 341 M