特許

J-GLOBAL ID：200903030771080776

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 横川 賢悦 ,  小野 哲郎 ,  辻本 和典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232286
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082494
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 従来のプラズマ処理装置では困難な、プラズマ内の状態制御(解離種および励起種とその組成比等)を高精度かつプラズマ生成パラメータとは独立に行うことを実現する。解離種およびその組成等を制御することで、例えば高速エッチングと高選択比を両立するような高精度なエッチングを可能とするようなプラズマ処理装置を提供する。【構成】 真空排気手段101とガス導入手段102を有する真空容器103に鍋状絶縁体で形成された放電管104と、該放電管の周辺部と上部にそれぞれ独立なプラズマ形成手段105と、該放電管内部の周辺部近傍にイオンまたは電子を加速する加速電極107を設置し、該放電管上部のプラズマ形成手段で形成されたプラズマに、該放電管周辺部のプラズマ形成手段で形成したプラズマから該加速電極によりイオンまたは電子を加速して注入する構造とした。

請求項（抜粋）：

真空排気手段とガス導入手段を有する真空容器と、該真空容器の周辺部および上部にそれぞれ設けられた独立な第1及び第2のプラズマ形成手段と、該第1のプラズマ形成手段で形成されたプラズマに、該第2のプラズマ形成手段で形成されたプラズマのイオンまたは電子を加速して注入する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B