特許
J-GLOBAL ID：200903030775514576
マグネトロンスパッタ法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210613
公開番号（公開出願番号）：特開平8-060357
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：
【要約】【目的】 揺動式マグネトロンスパッタ法で、ターゲット上にエロージョン部と非エロージョン部が存在する場合に、磁場と基板の相対的位置を最適に揺動させて均一で良好な膜質を持つ薄膜を作製する。【構成】 薄膜を構成する元素を含むターゲット11を使用すると共に反応性ガスを導入し、ターゲット11の近傍に磁場を生成し、磁場と基板の相対的位置を揺動し、磁場に起因して生成されたプラズマ16によってターゲットをスパッタし基板上に薄膜17を作製する。薄膜17で多くとも3分子層相当の厚みが形成される時間内に、成膜される各場所が、ターゲット上のエロージョン部18および非エロージョン部19に1回以上対向するように、揺動の速度と薄膜の成膜速度との関係を設定する。
請求項（抜粋）：
薄膜を構成する元素を含むターゲットを使用すると共に前記薄膜を構成する他の元素を反応性ガスとして導入し、前記ターゲットの近傍に磁場を生成し、この磁場と基板の相対的位置を揺動させ、前記磁場に起因して生成されたプラズマで前記ターゲットをスパッタして前記基板に前記薄膜を作製するマグネトロンスパッタ法において、前記薄膜で多くとも3分子層相当の厚みが形成される時間内に、成膜される各場所が、前記ターゲット上のエロージョン部および非エロージョン部に1回以上対向するように、前記揺動の速度と前記薄膜の成膜速度との関係を設定したことを特徴とするマグネトロンスパッタ法。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
