特許

J-GLOBAL ID：200903030778930619

半導体装置の製造方法

発明者： 中野 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277546
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121397
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、半導体基板表面に酸化シリコン膜を介さず直接金属酸化膜を形成できる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【構成】 シリコンウエハ3は反応槽1内のステージ2上に搭載されている。Ta(OC2H5)56はヒータ付バブリング槽5内に収納され、加熱されて気化する。気化されたTa(OC2H5)56のガスが、バブリングガスであるN2ガスとともに配管8から減圧、室温下の反応槽1内に導入される。反応槽1内に導入されたTa(OC2H5)56のガスは、シリコンウエハ3表面に吸着される。その後、ヒータ部14により反応温度までシリコンウエハ3を加熱するとともに、反応ガスであるO2ガスを導入することにより、シリコンウエハ3上にTa2O5膜を形成する。

請求項（抜粋）：

減圧、室温下の反応槽内に半導体基板を配置し、前記反応槽内に金属アルコキシドを導入して前記半導体基板表面に金属アルコキシドの吸着層を形成した後、前記半導体基板を反応温度まで加熱するとともに前記反応槽内に反応ガスを導入して、前記半導体基板上に金属酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/108