特許

J-GLOBAL ID：200903030779504680

半導体レーザ

発明者： 高橋 孝志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230799
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057459
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 少ない工程数で精度良く容易に製造することができると共に、リーク電流を抑制すること。【解決手段】 n型GaAs基板10上に、n型AlGaAsクラッド層12、GaAs/AlGaAs多重量子井戸活性層14、p型AlGaAsクラッド層16、p型GaAsキャップ層18を順に積層し、p型AlGaAsクラッド層16の途中までエッチング除去し、ストライプ状の電流注入領域の両側と共振器端面近傍にn型AlGaAs電流ブロック層20を形成する。p型GaAsキャップ層18及びn型電流ブロック層20上の全面にp型GaAsコンタクト層22を形成し、表面にp側電極24を形成し、n型GaAs基板10の裏面側にn側電極26を形成する。n型電流ブロック層20の下側にある多重量子井戸活性層14は、周期構造が無秩序化されたAlGaAs混晶28となっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、少なくとも第1導電型クラッド層と、超格子構造を含む活性層と、第2導電型クラッド層とを含む積層構造が形成され、ストライプ状領域の両外側と共振器端面近傍に前記活性層よりも禁制帯幅の大きい材料から成る電流ブロック層が形成され、前記電流ブロック層の下に位置する前記活性層の超格子構造が無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (5件)：

H01S 5/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01S 5/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323

Fターム (30件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045DB02 ,  5F045DB05 ,  5F045DC53 ,  5F045HA12 ,  5F045HA14 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA15 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29