特許

J-GLOBAL ID：200903030782143818

有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： 柳 旻 成 ,  金 保 成 ,  李 宇 宰 ,  李 容 旭 ,  崔 泰 榮
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173156
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005352
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 量産性が高くてトランジスタ特性も確保できる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】まず、絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線を覆うゲート絶縁層を形成する。次に、ゲート絶縁層上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、有機半導体層と絶縁層を順次に積層する。また、絶縁層のゲート電極上部に陽性の感光膜パターンを形成した後、感光膜パターンをエッチングマスクとして有機半導体層と絶縁層をエッチングしてゲート電極の上部に有機半導体と絶縁体を形成する。その後、有機半導体、絶縁体、データ線及びドレイン電極上にドレイン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成し、接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されていて、ゲート電極を有するゲート線と、 前記ゲート線を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上部に形成されていて、前記ゲート線と交差するデータ線及び前記ゲート電極を中心に前記データ線と対向するドレイン電極と、 前記ゲート絶縁層の上部に形成されて前記ゲート電極と重なり、前記データ線の一部であるソース電極と前記ドレイン電極の上部に形成されている有機半導体と、 前記有機半導体上部に形成されていて、前記有機半導体と同一な模様を有する絶縁体と、 前記データ線、前記ドレイン電極、前記有機半導体及び前記絶縁体上に形成されていて、前記ドレイン電極を露出する接触孔を有する保護膜と、 前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結されている画素電極とを含む有機半導体薄膜トランジスタ表示板。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28

Fターム (33件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19