特許
J-GLOBAL ID：200903030783472769
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022209
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220125
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】素子の耐圧を維持しつつ、電流増幅率の高い半暮体装置を提供する。【解決手段】内部に固定電位絶縁電極6を有する第一の溝とソース領域3とに接しない第二の溝を有し、第二の溝の内部にMOS型電極14と第二の絶縁膜15からなる可変電位絶縁電極16を有し、かつ第二の溝は第一の溝の端部近傍に配置される。第二の絶縁膜に接してソース領域には接しないゲート領域8を有し、前記第二のMOS型電極はこのゲート領域に接続されている構成。遮断状態では、第二の溝が第一の溝端部近傍にあるため、ドレイン電位が上昇しても第一の溝端部に電界が集中しアバランシェ降伏条件に達することはない。導通状態ではソース領域から流れ出た多数キャリアの一部はゲート電流の一部となるが、ゲート領域が浅くて小さければ、ゲート領域で消滅する多数キャリアの割合は少なく、一定の主電流を流すために必要なゲート電流値は低く抑えられる。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して同一導電型のソース領域を有し、前記主面に接して前記ソース領域を挟み込むように配置された第一の溝を一個または複数個有し、前記第一の溝の内部には第一の絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁され、かつ、前記ソース領域と同電位に保たれた第一の絶縁電極を有し、前記第一の絶縁電極は、前記第一の絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記ソース領域に接する前記ドレイン領域の一部であって、前記第一の絶縁電極によって挟み込まれたチャネル領域を有し、前記チャネル領域には前記第一の絶縁電極の周囲に形成された前記空乏領域によって多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が形成されていて、遮断状態における前記ドレイン領域側からの電界が前記ソース領域近傍に影響を及ぼさないように、前記チャネル領域にあって前記第一の溝の底部から前記ソース領域までの距離すなわちチャネル長は、前記チャネル領域にあって対面する前記第一の溝の側壁同士の距離すなわちチャネル厚みの少なくとも2乃至3倍以上となっており、さらに、前記主面に臨んで、前記第一の溝ならびに前記ソース領域に接しない第二の溝を有し、前記第二の溝の内部には、第二の絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁された第二の絶縁電極を有し、前記遮断状態において、前記第一の溝の端部に前記ドレイン領域からの電界が集中するのを緩和すべく、前記第二の溝は前記第一の溝の端部の近傍にあり、さらに、前記主面に臨んで、前記第一の絶縁電極を取り囲む前記第一の絶縁膜の界面に少数キャリアを導入して反転層を形成し、前記第一の絶縁電極から前記ドレイン領域への電界を遮蔽して前記チャネル領域に形成された前記ポテンシャル障壁を減少もしくは消滅させてチャネルを開くべく、前記第二の絶縁膜に接して、前記ソース領域には接しない、反対導電型のゲート領域を有し、かつ、前記ゲート領域は前記第二の絶縁電極と接続されている、ことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 Z
