スパッタリング方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152772
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】大面積の角形基板上にターゲットの寿命の初期から末期まで、高速かつ均一性よく薄膜を形成することができるスパッタリング方法及びその装置を提供する。【解決手段】独立に電力を印加することのできる複数の電極を備え、複数の電極のうち端部側の電極と端部側以外の電極とに印加する電力又は電力印加時間を相対的に異ならせて、異ならせる度合いをターゲットの消耗に応じて徐々に変更していくことで、基板上の膜厚の均一性の経時変化を抑える。

請求項（抜粋）：

ガス供給及び排気機能を有する真空室(12)内に、基板支持部(4)により基板(5)を保持し、上記基板に対向した平面内に互いに電気的に絶縁された3つ以上の電極板(1a,1b,1c)上にターゲット(2a,2b,2c)を配置し、上記基板を上記ターゲットに対して静止した状態で成膜するスパッタリング方法において上記電極のうち端部側に配置された電極(1a,1c)の全部もしくは少なくとも一つの電極と上記端部側の電極以外の電極(1b)との間で、スパッタリング中に、上記電極に印加する電力又は電力印加時間を異ならせるように制御するようにしたことを特徴とするスパッタリング方法。

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