特許

J-GLOBAL ID：200903030784164600

基板の加工方法

発明者： レゼク アンリ
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-263599
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：

【要約】【目的】 結晶基板表面に微細な凹凸を選択的に形成する。【構成】 GaAs結晶基板1に結晶の結合を切断しかつスパッタリングを生じない量のイオン2を選択的に打ち込む。Si+ 集束イオンビームの場合260keV、線密度101 0 cm- 1 で注入する。注入領域4の結晶の結合が切れて非晶質層が形成され、体積が膨張する。その結果、注入領域の表面が20nm隆起する。その後、アルシンガス中で650°C、15分の熱処理を加えると、結合が切れた原子はこの領域の外に移動し、最終的にはイオンを打ち込んだ領域には幅200nm、深さ25nmのくさび型の微細な溝10が形成される。

請求項（抜粋）：

結晶基板表面に結晶の結合を切断しかつスパッタリングを生じない量の加速したイオンを選択的に打ち込んで基板表面を選択的に隆起させ、その後加熱処理を施しこの隆起の減少または選択的な溝の形成を行う基板の加工方法。

IPC (4件)：

C30B 33/00 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 C ,  H01L 21/265 Q