特許
J-GLOBAL ID：200903030792296582
半導体装置のバンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017833
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、微細な電極ピッチの半導体装置へ高さの高いバンプを形成することを目的とする。【構成】 半導体装置の電極部に厚膜レジストを用いたリフトオフ法による半田バンプを形成する方法である。予め半導体装置7とは別に用意した基板1上に厚膜レジスト3をパターン形成し、これを半導体装置7に反転転写してリフトオフ用のレジストパターン5とする。これにより、逆テーパー形状のレジストパターン5が形成されるため、高さの高いバンプを形成することができる。また、上記基板1に透明な材質を使用すれば、反転転写の際、基板1ごしに半導体装置7のパターンを見ることができ、正確な位置合わせができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極部に厚膜レジストを用いたリフトオフ法により半田バンプを形成するに際し、予め半導体装置とは別に用意した基板上に厚膜レジストをパターン形成し、これを半導体装置に転写してリフトオフ用のレジストパターンとすることを特徴とする半導体装置のバンプ形成方法。
引用特許：
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