特許

J-GLOBAL ID：200903030793039400

回路基板

発明者： 小田 勉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156412
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、オーバーコートガラスの厚みを必要以上に厚くすることなく、表層配線導体どうしの絶縁信頼性を確保し、かつ、電子部品素子などの搭載時に必要な接合信頼性を確保できる回路基板を提供する。【解決手段】 本発明は、ガラス-セラミックから成る基体1の表面に、V2 O5 を含むAg系導体から成る第1の表層配線導体21及び第2の表層配線導体22を被着形成するとともに、前記第2の表層配線導体22上に前記基体成分を含むオーバーコートガラス7で被覆するとともに、前記第1の表層配線導体211上に半田sを介して電子部品素子6を実装した回路基板である。そして、前記第1の表層配線導体21は、Ag系導体中にV2 O5 が0.2〜1.0wt%の範囲で含み、第2の表面配線導体22は、Ag系導体中にV2 O5 が0〜0.1wt%(0を含まない)の範囲で含むものである。

請求項（抜粋）：

ガラス-セラミックから成る基体の表面に、V2 O5 を含むAg系導体から成る第1の表層配線導体及び第2の表層配線導体を被着形成し、且つ前記第2の表層配線導体を、前記基体成分を含むオーバーコートガラスで被覆するとともに、前記第1の表層配線導体に半田を介して電子部品素子を実装した回路基板において、前記第1の表層配線導体は、Ag系導体中にV2 O5 を0.2〜1.0wt%の範囲で含み、第2の表面配線導体は、Ag系導体中にV2 O5 を0〜0.1wt%(0を含まない)含むことを特徴とする回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/09 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H05K 1/09 A ,  H05K 3/28 A ,  H05K 3/34 501 D ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H

Fターム (72件)：

4E351AA07 ,  4E351AA13 ,  4E351BB01 ,  4E351BB26 ,  4E351BB31 ,  4E351BB49 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351CC34 ,  4E351CC36 ,  4E351DD05 ,  4E351DD14 ,  4E351DD20 ,  4E351DD21 ,  4E351DD22 ,  4E351DD43 ,  4E351DD50 ,  4E351EE02 ,  4E351EE12 ,  4E351EE24 ,  4E351GG04 ,  4E351GG09 ,  4E351GG13 ,  4E351GG15 ,  4E351GG16 ,  5E314AA06 ,  5E314AA14 ,  5E314AA45 ,  5E314BB06 ,  5E314BB11 ,  5E314CC01 ,  5E314DD06 ,  5E314FF02 ,  5E314FF03 ,  5E314FF14 ,  5E314GG01 ,  5E314GG03 ,  5E314GG09 ,  5E314GG11 ,  5E314GG18 ,  5E319AA03 ,  5E319AA10 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319AC20 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319GG11 ,  5E319GG20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346CC46 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE21 ,  5E346FF05 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG07 ,  5E346GG08 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346GG31 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5E346HH24 ,  5E346HH33