特許

J-GLOBAL ID：200903030803617505

半導体ウェーハの処理方法及び装置

発明者： 木村 豊和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338597
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177988
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハをウエットエッチング・純水洗浄・IPA乾燥によりこの順に処理する場合において、エッチング量のウェーハ面内均質性向上、ウェーハ表面におけるウォーターマーク発生の抑制等を達成する。【解決手段】 1枚のウェーハWを保持治具50により、ウェーハ表面を下方に向けて、かつ水平面に対して若干傾けた状態で保持し、このまま保持治具を薬液処理槽(エッチング兼純水洗浄槽)31内に下降させてエッチング液に浸漬する。薬液処理槽からウェーハを取り出すときも、ウェーハを上記姿勢に維持する。純水洗浄及びIPA乾燥においても同様である。保持治具は、枠体状に構成して移載アームの挿入・取出し口を形成し、駆動装置により薬液処理槽・IPA乾燥槽間を往復動可能とする。移載アームでウェーハを真空吸着し、該移載アームを前記挿入・取出し口を介して挿入後、下降させてウェーハを保持治具で保持する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを薬液に浸漬して処理する方法において、ウェーハ表面を下方に向けて枚葉処理することを特徴とする半導体ウェーハの処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 361

FI (3件)：

H01L 21/306 J ,  H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 361 V