特許
J-GLOBAL ID：200903030807481470
光電変換半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007097
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240534
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 低ノイズ、高感度の光電変換半導体装置を実現する。【構成】 シリコンのN-半導体基板1の表面に0、1μm以下の深さでピーク濃度1×1020atoms/cm3 のP+型不純物領域2を形成したPINフォトダイオードを製作し100nmの光で量子効率50%以上を得た。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に第2導電型不純物領域を有し、第2導電型不純物領域は深さ0.1μm以下で、ピーク濃度1×1019atms/cm3 上であることを特徴とする光電変換半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 B
