特許
J-GLOBAL ID：200903030811291465
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281212
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102525
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 静電破壊に強い半導体装置を実現する。【解決手段】電源ライン25,27,35,37の異なる複数の内部回路20,30と、それらに亘って設けられた回路間信号配線14と、それら内部回路の各々に対して設けられ該当電源ラインに接続されたガードリング22,23,32,33とを備えた半導体集積回路装置50において、ガードリングが多重に形成されており、隣り合う内部回路のうち面積の小さい方のもの20に該当するガードリング22,23は、総てが一巡しており、面積の大きい方のもの30に該当するガードリング32,33は、何れか33がその隣接箇所で欠けるようにする。これにより、内部回路間で異常電圧が分割・分担されて、回路間信号配線の両端に生じる電位差・破壊力が緩和される。
請求項（抜粋）：
電源ラインの異なる複数の内部回路と、それらの内部回路に亘って設けられた回路間信号配線と、それら内部回路の各々に対して設けられ該当電源ラインに接続されたガードリングとを備えた半導体集積回路装置において、前記ガードリングは、前記内部回路同士の隣接箇所に配された部分が、非隣接箇所に配された部分より細いものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (14件)：
5F038BE09
, 5F038BH02
, 5F038BH05
, 5F038BH06
, 5F038BH09
, 5F038BH13
, 5F038BH15
, 5F038CA05
, 5F038CA09
, 5F038CA10
, 5F038CD02
, 5F038DF04
, 5F038DF12
, 5F038EZ20
