特許
J-GLOBAL ID：200903030814339680
薄膜製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090246
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、所望の原子成分比と結晶構造を有する高誘電体薄膜を凹凸がある基板表面にも一様な膜厚で堆積させることを目的とする。【構成】 薄膜堆積容器と原料ガス発生装置3〜5とガス輸送機構6〜8を有し、原料ガス発生装置3〜5は薄膜堆積容器の内部に設置されている。薄膜堆積容器は2重構造となっており、中心の第一室1に原料ガス発生装置3〜5とガス輸送機構6〜8が設置され、第一室1を取り囲むように薄膜堆積反応を起こさせる第二室2が設置されている。原料ガス発生装置3〜5は固体ガスソースあるいは液体ガスソースの加熱機構と輸送ガス導入機構と該輸送ガス加熱機構を有し、ガス輸送機構6〜8はそれぞれ独立に加熱機構を有する。薄膜を堆積させる基板11は薄膜堆積容器の第二室2の外周内壁面に設置され、該基板加熱機構12は第二室2の外周外壁面に設置されている。
請求項（抜粋）：
薄膜堆積容器と原料ガス発生装置とガス輸送機構とを有する薄膜製造装置において、前記薄膜堆積容器は第一室とこの第一室を取り囲むように設けられた第二室とを備え、前記第一室内部には前記原料ガス発生装置と前記ガス輸送機構が設置され、前記第二室には薄膜堆積反応を起こさせる複数枚の基板が設けられている事を特徴とする薄膜製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 14/50
, C23C 14/54
, C30B 25/14
, H01L 27/04
