特許

J-GLOBAL ID：200903030820169397

薄膜形成装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 内田 淳一 ,  志田 啓之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317646
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157831
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 異物の発生が抑制できるスパッタ装置などの薄膜形成装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜形成装置は、処理室1の内部に防着板7が配置されており、防着板7の主要部7aの主表面は波状形状などの凹凸を有している。また、処理室1の内部にアノード防着板10が配置されており、アノード防着板10は位置可変機構にセットされ、位置可変機構によりアノード防着板10の上下方向14の位置が調整できるようになっている。

請求項（抜粋）：

処理室の内部に防着板が配置されており、前記防着板の主要部の主表面に凹凸を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/00 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S