特許

J-GLOBAL ID：200903030824512380

セラミック電子部品、およびその製造方法

発明者： 樋口 庄一 ,  国司 多通夫 ,  浜地 幸生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104363
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299242
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 温度変化試験のような低温と高温のサイクルが繰り返される環境下にあっても、Snめっき層にホイスカを発生させない構造を有するセラミックス電子部品を提供する。【解決手段】 セラミック素体上に外部電極が形成されてなるセラミック電子部品において、前記外部電極は、セラミック素体表面に形成される厚膜電極と、厚膜電極上に形成されるNiめっき層と、Niめっき層上に形成されるホイスカ抑制層と、ホイスカ抑制層と接して形成され外部電極の最外層に位置して形成されるSnめっき層とを有してなり、前記ホイスカ抑制層は、最外層のSnめっき層の線膨張係数よりも実質的に大きい線膨張係数を有する金属材料を含んでなる。

請求項（抜粋）：

セラミック素体上に外部電極が形成されてなるセラミック電子部品であって、前記外部電極は、セラミック素体表面に形成される厚膜電極と、厚膜電極上に形成されるNiめっき層と、Niめっき層上に形成されるホイスカ抑制層と、ホイスカ抑制層と接して形成され外部電極の最外層に位置して形成されるSnめっき層とを有してなり、前記ホイスカ抑制層は、最外層のSnめっき層の線膨張係数よりも実質的に大きい線膨張係数を有する金属材料を含んでなることを特徴とするセラミック電子部品。

IPC (2件)：

H01G 4/12 361 ,  C23C 30/00

FI (2件)：

H01G 4/12 361 ,  C23C 30/00 B

Fターム (14件)：

4K044AA13 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BB02 ,  4K044BC11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA18 ,  5E001AB03 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ03