特許

J-GLOBAL ID：200903030826248469

薄膜トランジスタ

発明者： 松本 広
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317997
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151852
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 オフセット構造の薄膜トランジスタにおいて、微細なオフセット部を容易に且つ高精度に形成する。【構成】 ポリシリコン薄膜12上に第1のゲート絶縁膜13、第1のゲート電極14、第2のゲート絶縁膜15および第2のゲート電極16がこの順で形成されている。チャネル領域12aとソース・ドレイン領域12bの境界面と第1のゲート電極14の端面との面方向の距離L1は、両ゲート絶縁膜13、15の膜厚T1、T2の和よりもある程度大きくなっている。したがって、オフセット部は、チャネル領域12aとソース・ドレイン領域12bの境界面の部分と第2のゲート電極16との間に存在する両ゲート絶縁膜13、15の部分となる。両ゲート絶縁膜13、15の膜厚T1、T2は、成膜時間等を制御することにより、容易にかつ正確に制御することができ、したがって微細なオフセット部を容易に且つ高精度に形成することができる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域の両側にソース・ドレイン領域が形成された半導体薄膜とゲート電極との間にゲート絶縁膜を設けた薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極を前記チャネル領域の中央部と対向する第1のゲート電極部と前記チャネル領域と前記ソース・ドレイン領域の境界面の部分と対向する第2のゲート電極部とによって構成し、且つ前記チャネル領域と前記ソース・ドレイン領域の境界面と前記第1のゲート電極部の端面との面方向の距離を前記チャネル領域と前記ソース・ドレイン領域の境界面の部分と前記第2のゲート電極部との間に存在する前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも大きくしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。