特許

J-GLOBAL ID：200903030828814020

絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦 ,  張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030220
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114724
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【構成】 MOSFETにおいて、LDD領域を形成するにあたって、最初に、ゲイト電極となるべき部分をマスクとしてセルフアライン法で低濃度不純物領域(第1の不純物領域)を形成したのち、熱酸化法等の方法によってゲイト電極となるべき部分を酸化し、内部にゲイト電極を形成し、ゲイト電極側面に生成した酸化物層をマスクとしてセルフアライン法で高濃度不純物領域(第2の不純物領域)を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

請求項（抜粋）：

半導体上に形成された絶縁性被膜上に、ゲイト電極となるべき部分を形成する工程と、前記部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第1の不純物領域を形成する工程と、陽極酸化法によって前記部分を酸化する工程と、前記工程によって酸化されたゲイト電極の部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第2の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-228041
  
• 特開昭58-023479
  
• 特開昭63-219152
  
• 特開昭62-214669