特許

J-GLOBAL ID：200903030829456070

基板処理装置

発明者： 豊田 一行 ,  嶋 信人 ,  大住 直人
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326718
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134486
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 高温素線の温度分布の不均ー性に起因する被処理基板上の処理の不均ー性を解消する。【解決手段】 基板処理装置は、反応室内に高温素線アッセンブリ7が設けられる。高温素線25に接触させるように反応ガスを供給し、反応ガスを高温素線25に接触させてウェハの表面に供給し、その表面に所定の処理を施す。反応室内に設けられる高温素線アッセンブリ7の高温素線25は、取付フレーム23の対向辺間に張設される。取付フレーム23の対向辺に複数個の保持ワイヤ40を取り付ける。高温素線25の張設は、この保持ワイヤ40に高温素線25の折返し端部を通して折り返すことで行う。各辺の保持ワイヤ40は、導電性のワイヤ取付板42、45に固定され、直列回路接続される。この直列回路に電源43、46が接続されて、保持ワイヤ40が加熱され、それにより高温素線25の折返し端部が昇温されるように構成される。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収納する反応室と、前記反応室内に張設されて高温加熱される発熱体と、前記発熱体に接触するように反応ガスを前記反応室内に供給するガス供給手段と、前記発熱体の端部を保持して張設するとともに、前記保持された端部を高温加熱する保持体とを備え、前記反応ガスを前記発熱体に接触させて活性化し、前記被処理基板の表面に供給して前記被処理基板を処理することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 A ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 P

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  4K057DA11 ,  4K057DM35 ,  4K057DM39 ,  5F004AA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BD04 ,  5F004EA34 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EN04