特許
J-GLOBAL ID：200903030832091342
多層配線基板の製造方法および高密度多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206321
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334343
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】量産性に優れ、低コストで、品質の安定した高密度な多層配線基板の製造方法および貫通めっきスルーホールを有さない高密度多層配線基板を提供する。【構成】ベース基板の配線層上に無溶剤の流動性高分子前駆体を置き、配線間隙を排気した後、前駆体を配線間隙に充填し、静水圧をかけながら硬化、次いで、次の配線層を形成する工程を一回以上行なって多層配線基板を製造する方法および貫通めっきスルーホールを有さない、柱状のビア導体で各層を接続した高密度多層配線基板。
請求項（抜粋）：
多層配線基板の製造方法において、(1)少なくとも一方の面上に、配線層として水平配線導体および垂直ビア導体の少なくとも一方を有するベース基板を形成する工程、(2)前記ベース基板の配線層側に表面の平坦な金型を設置し、該ベース基板と該金型との間に溶剤を含まない流動性高分子前駆体を供給する工程、(3)前記金型と前記ベース基板との間にある気体を排気する工程、(4)前記金型を前記ベース基板方向へ移動させて前記溶剤を含まない流動性高分子前駆体を該ベース基板と該金型の間に充填し、少なくとも該ベース基板上の隣接する導体間隙に該溶剤を含まない流動性高分子前駆体が充填されるようにする工程、(5)前記溶剤を含まない流動性高分子前駆体に所定の静水圧をかける工程、(6)前記静水圧下において前記溶剤を含まない流動性高分子前駆体を硬化する工程、(7)前記水平配線導体または前記垂直ビア導体の上面を露出させる工程、(8)前記水平配線導体または前記垂直ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導体の少なくとも一つから成る配線層を形成する工程の各工程を含む多層配線基板の製造方法において、前記(1)から(7)の工程をこの工程順におこなうこと、または、前記(1)の工程の後に、少なくとも一回以上、前記(2)から(8)の工程をこの工程順におこない多層化することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/46
, H05K 3/38
, H05K 3/44
, B32B 31/04
, C08G 59/40 NKG
