非晶質シリコン層の結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204311
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051075
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ガラス基板が耐えうる温度での非晶質シリコン層の結晶化を可能にし、その結晶化方法をTFTの多結晶シリコン層の形成に適用して、低コストのガラス基板の採用を可能にする。【構成】第1工程で、非晶質シリコン層12の表面に非晶質シリコンと金属との2成分系が共晶系となる金属層(例えばAl,Sb,Sn等)13を成膜した後、第2工程で、アニール処理(300°C〜400°C)によって、非晶質シリコン層12を結晶化して多結晶シリコン層14を形成する。また金属層13の表面にキャッピング層(図示省略)を形成してからアニール処理を行ってもよい。さらに上記結晶化方法は、TFT(図示省略)の多結晶シリコン層を形成するのに適用できる。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン層の表面に該非晶質シリコンと金属との2成分系が共晶系となる金属層を成膜する第1工程と、アニール処理によって、前記非晶質シリコン層を結晶化する第2工程とからなることを特徴とする非晶質シリコン層の結晶化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平2-140915
特開昭58-114420
特開平2-260524

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