特許

J-GLOBAL ID：200903030834300356

ドライエッチング装置

発明者： 井川 英治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115589
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315289
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】ドライエッチングに必要なイオン密度を低下させることなく中性活性粒子の密度のみを減少させ、ドライエッチングに於ける加工寸法精度の向上を図る。【構成】ドライエッチング装置の放電室に、被エッチング材料と同種の材料を主たる構成材料とする円筒状の正電位印加用電極19を試料台15の外周上に設ける。この電極にローパスフィルター110を介して正の直流電位を印加することによって、正イオンの入射が抑制され、中性活性粒子のみを消費するので、異方的エッチング形状が得られる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波放電方式のドライエッチング装置のプラズマ発生領域のプラズマに曝される空間に、被エッチング材料と同種の材料が主たる構成成分である材料からなる電気的に絶縁された円筒状電極を配置し、この電極にローパスフィルターを介して正の直流電位を印加し、マイクロ波放電方式によりドライエッチングする事を特徴とするドライエッチング装置。