特許
J-GLOBAL ID：200903030840544585
半導体分布帰還型レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181209
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029705
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 利得結合により分布帰還を用いた半導体分布帰還型レーザ装置において、屈折率結合成分を容易に除去できる構造を提供する。【構成】 屈折率の異なる層5、7の組み合わせにより、光吸収層6の膜厚によって生じる屈折率の周期的変化を打ち消す。
請求項（抜粋）：
誘導放射光を発生する活性層を備え、この活性層の近傍にはこの活性層が発生した誘導放射光を吸収する材料により形成された光吸収層を備え、この光吸収層には、前記活性層が発生した誘導放射光に光分布帰還を施す周期の膜厚変化が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、屈折率の異なる層の組み合わせにより前記光吸収層の膜厚の変化によって生じる屈折率の周期的変化を打ち消す層構造を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。
引用特許：
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