特許
J-GLOBAL ID：200903030844662612
半導体ウエハの評価方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074248
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270514
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 フォトルミネッセンス法による測定精度を向上させることが可能な半導体ウエハの評価方法及びその実施に使用する装置を提供すること。【解決手段】 アルゴンレーザ発振器1から発せられたレーザ光の光路上に、フィルタ22a 及びTeO2 からなる光偏向器2が配置されている。レーザ光の照射によりウエハ15から放射されるルミネッセンス光は、集光レンズ25a ,フィルタ22b 及び分光器27を経て光電子増倍管である光検出器26にて検出されるようになっており、検出された信号はボックスカー積分器4へ与えられる。信号発生器5から出力される照射時間制御信号は光偏向器2の光偏向時間を制御するRF発振器7へ与えられ、コンピュータ45から出力される照射強度制御信号はRF発振器7を駆動するRF発振器電源8へ与えられる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに光を照射することにより放射されるルミネッセンス光を受光し、その分光に基づいて半導体ウエハを評価する方法において、照射時間、又は照射時間及び照射強度を制御しながら前記半導体ウエハに光を照射する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, G01N 21/64 Z
