特許

J-GLOBAL ID：200903030848108938

半導体結晶成長装置

発明者： 篠原 正典 ,  横山 春喜
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309925
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142393
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体結晶基板が配される気相成長用容器内に、有機金属原料ガスを、ラジカル化させることなしに供給する有機金属原料ガス供給手段と、上記気相成長用容器内を常圧または10-1Torr以上の真空状態に排気する排気手段と、上記気相成長用容器内の半導体結晶基板を加熱する加熱手段とを有する半導体結晶成長装置において、それを用いて、半導体結晶基板の表面を、炭素が付着していても、それが効果的に除去された表面に清浄化することができるように、また、半導体結晶基板上に、その半導体結晶薄膜を、炭素を低い濃度でしか含んでいないものとして形成することができるようにする。【構成】 上記半導体結晶成長装置において、上記気相成長用容器内に、上記有機金属原料ガスとは異なる原料ガスまたはキャリアガスを、ラジカル分解して供給するラジカル分解ガス供給手段を有する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板が配される気相成長用容器と、上記気相成長用容器内に、有機金属原料ガスを、ラジカル化させることなしに供給する有機金属原料ガス供給手段と、上記気相成長用容器内を常圧または10-1Torr以上の真空状態に排気する排気手段と、上記気相成長用容器内に配された上記半導体結晶基板を加熱する加熱手段とを有する半導体結晶成長装置において、上記気相成長用容器内に、上記有機金属原料ガスとは異なる原料ガスまたはキャリアガスを、ラジカル化して供給するラジカル化ガス供給手段を有することを特徴とする半導体結晶成長装置。