特許

J-GLOBAL ID：200903030850894231

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡村 龍一 ,  石井 弘二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005594
出願日： 1993年01月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 平坦化を図るために配線パターン間にダミー配線パターンを設けた半導体装置における配線容量の増大を防止する。【構成】 配線パターン3間に形成して層間膜の平坦化を図るためのダミー配線パターン6を絶縁体で形成する。例えば、半導体基板1に導電膜を選択的にパターニングして配線パターン3を形成した後、全面に絶縁膜4を形成し、この絶縁膜を選択的にパターニングして配線パターン3間の領域にダミー配線パターン6を形成する。

請求項（抜粋）：

配線パターン間にダミー配線パターンを形成し、これら配線パターン上に形成される層間膜の平坦化を図った半導体装置において、前記ダミー配線パターンを絶縁体で形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-240946
  
• 特開平4-218918
  
• 特開平4-287326