特許

J-GLOBAL ID：200903030852692016

高周波増幅器を有する積層電子部品

発明者： 須崎 秀史 ,  立岡 一樹 ,  金澤 邦彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137320
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320251
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 導電層の厚膜化に伴う誘電体層の剥離などを引き起こすことなく、バイアス回路における直流電力損失を抑制できる、高周波増幅器を有する積層電子部品を提供する。【解決手段】 高周波増幅器13に直流バイアス電流を供給するバイアス回路に含まれる、直流電源と高周波増幅器への給電点とを接続するλ/4マイクロ波伝送線路(ストリップ線路)12の信号ライン線を、誘電体層4を介し、接地導体となる導電層7,10を挟まないように配置された2以上の導電層8,9から構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの高周波増幅器と2以上の誘電体層とを有する積層電子部品であって、前記高周波増幅器に直流バイアス電流を供給するバイアス回路において、直流電源と前記高周波増幅器への給電点とを接続する伝送線路を有し、前記伝送線路が信号ライン線と接地導体とを含み、前記信号ライン線が、前記誘電体層を介し、前記接地導体を挟まないように配置された2以上の導電層からなることを特徴とする積層電子部品。

IPC (4件)：

H03F 3/60 ,  H01G 4/40 ,  H01P 5/08 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H03F 3/60 ,  H01P 5/08 L ,  H05K 3/46 Q ,  H01G 4/40 A

Fターム (39件)：

5E082DD11 ,  5E082EE04 ,  5E082EE16 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ23 ,  5E082KK01 ,  5E082LL15 ,  5E082PP08 ,  5E082PP09 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346BB02 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346HH01 ,  5E346HH22 ,  5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA81 ,  5J067FA00 ,  5J067HA09 ,  5J067HA29 ,  5J067KA12 ,  5J067KA13 ,  5J067KA29 ,  5J067KA68 ,  5J067KS11 ,  5J067KS25 ,  5J067LS12 ,  5J067QA04 ,  5J067QS05 ,  5J067TA01