特許

J-GLOBAL ID：200903030854285469

半導体シリコンウエーハの製造方法

発明者： 外山 公平
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064173
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251270
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 大直径の半導体シリコンウエーハを製造しても、工場建屋の新設や操業労力の増大の必要がなく、且つ製造される半導体シリコンウエーハの品質を損なうことがない、半導体シリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、スライス工程と、ラッピング工程と、エッチング工程と、研磨工程と、洗浄工程と、から成る半導体シリコンウエーハの製造方法において、少なくとも前記ラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程を、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行うことを特徴とする半導体シリコンウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも、半導体単結晶棒をスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、スライスされたウエーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工程と、ラッピングされたウエーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの表面を研磨する研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄する洗浄工程と、から成る半導体シリコンウエーハの製造方法において、少なくとも前記ラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程を、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行うことを特徴とする半導体シリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 611 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

H01L 21/304 611 A ,  H01L 21/304 622 P