特許

J-GLOBAL ID：200903030855827877

プラズマCVDによるSiO2 薄膜の形成方法

発明者： 佐野 慶一郎 ,  野村 雅也 ,  玉巻 宏章
出願人/特許権者： スズキ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-288157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135206
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 膜堆積速度の高速化、膜の高い密着性及び膜の高い硬度を得られるようにしたプラズマCVDによるSiO2 絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 プラズマ発生室の周囲に配置した磁気コイルによって、プラズマ発生室内に磁界を印加し、100〜200Wのマイクロ波をプラズマ発生室に導入し、アップストリームガスをプラズマ発生室内に導入してECRプラズマを発生させ、ダウンストリームに原料を気化させて供給ガスを発生し、その供給ガスを導入口から供給し、さらに、該導入口と基板との間又は上記プラズマ発生室と上記導入口との間に設置したメッシュに上記ECRプラズマを通過させ、かつ上記基板を加熱しないようにし、これによって基板表面にSiO2 膜を堆積するようにした。基板温度を150〜300°C、好ましくは150°C以上200°C未満に加熱した。

請求項（抜粋）：

プラズマCVDによるSiO2 薄膜形成方法において、プラズマ発生室の周囲に配置した磁気コイルによって、プラズマ発生室内に磁界を印加し、100〜200Wのマイクロ波をプラズマ発生室に導入し、アップストリームガスをプラズマ発生室内に導入してECRプラズマを発生させ、ダウンストリームに原料を気化させて供給ガスを発生し、その供給ガスを導入口から供給し、さらに、該導入口と基板との間又は上記プラズマ発生室と上記導入口との間に設置したメッシュに上記ECRプラズマを通過させ、かつ上記基板を加熱しないようにし、これによって基板表面にSiO2 膜を堆積するようにしてなることを特徴とするプラズマCVDによるSiO2 薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C