特許

J-GLOBAL ID：200903030858900397

半導体装置

発明者： 能勢 忠司
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058629
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 スイッチング速度の向上及び高周波化を容易に図ることにある。【構成】 電源端子17,18間に、第1、第2のPチャネルMOSトランジスタ11,12と、且つ、第3、第4のNチャネルMOSトランジスタ13,14を直列に接続する。そして、第1、第4のMOSトランジスタ11,14のゲートを入力端子15に共通接続し、それらのドレインを第2、第3のMOSトランジスタ12,13を介して出力端子16に共通接続する。第2のMOSトランジスタ12のゲートを低電位側電源端子18に接続すると共に、第3のMOSトランジスタ13のゲートを高電位側電源端子17に接続する。

請求項（抜粋）：

電源の一方の端子と出力端子間に同一型のMOSトランジスタを直列に接続し、出力端子に接続された一方のMOSトランジスタのゲートを電源の他方の端子に接続して完全ON状態としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H03K 19/0948 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/017

FI (2件)：

H03K 19/094 B ,  H01L 27/08 321 L