特許
J-GLOBAL ID：200903030859887645
誘導結合型ハイブリッドカプラ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
今村 辰夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164289
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は誘導結合型ハイブリッドカプラに関し、帯域特性の広い誘導結合型ハイブリッド回路により、小型SMD化したカプラを実現し、量産性を向上させることを目的とする。【構成】 4個のコイルL1〜L4をリング状に直列接続し、各接続点にコンデンサC1〜C4を接続した誘導結合型ハイブリッド回路を使用し、各コイルと、コンデンサとを多層基板に実装した誘導結合型ハイブリッドカプラにおいて、4個のコイルを多層基板の同一層1-2、1-3に設定すると共に、該層1-2、1-3の略中央部に、インダクタンス値の大きい2個のコイルL3、L4を隣合わせて設定し、これらのコイルL3、L4の両脇であって、その中間位置に、インダクタンス値の小さい、残りの2個のコイルL1、L2を設定した。また、4個のコンデンサを、同一層(誘電体層)に、並べて設定した。
請求項（抜粋）：
インダクタンス値の小さい2個のコイル(L1、L2:L1=L2=La)と、インダクタンス値の大きい2個のコイル(L3、L4:L3=L4=Lb)とからなる4個のコイル(L1〜L4:但しLa<Lb)を、リング状となるように、互いに直列接続し、上記コイルの各接続点に、一方の電極を接地したコンデンサ(C1、C2、C3、C4)を接続すると共に、上記接続点の内、3つの接続点を、それぞれポート(入/出力端子)(P1、P2、P3)の接続点とし、残りの接続点を、終端抵抗(R<SB>e </SB>)の接続点とした誘導結合型ハイブリッド回路(HY)を使用し、上記各コイル(L1〜L4)と、コンデンサ(C1〜C4)とを、導体パターンにより、多層基板に実装した誘導結合型ハイブリッドカプラにおいて、上記4個のコイル(L1〜L4)を、導体パターンにより、多層基板の同一層(絶縁体層)(1-2、1-3)に設定すると共に、上記層(絶縁体層)(1-2、1-3)の略中央部に、インダクタンス値の大きい2個のコイル(L3、L4)を隣合わせて設定し、かつ、これらのコイル(L3、L4)の両脇であって、その略中間位置(L3、L4の中間位置)に、インダクタンス値の小さい、残りの2個のコイル(L1、L2)を設定したことを特徴とする誘導結合型ハイブリッドカプラ。
IPC (2件)：
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